Новая память HBM4 от Samsung для систем AI должна появиться в 2025 году
от: 12-10-2023 16:30 | раздел: Новости
Сан Джун Хван, исполнительный вице-президент по продуктам и технологиям DRAM в SamsungТехнология памяти с высокой пропускной способностью (HBM) добилась значительного прогресса с момента ее появления на рынке менее десяти лет назад. Radeon RX Fury и RX Vega в наши дни не очень популярны, но технологические достижения HBM продвинули эту технологию гораздо дальше, но не для геймеров.
Первоначально предлагая повышенную скорость передачи данных и расширенную емкость, HBM сейчас стоит на пороге самой значительной на сегодняшний день трансформации, и все это благодаря растущей популярности рабочих нагрузок искусственного интеллекта. Недавний отчет намекает на появление стеков памяти HBM4 следующего поколения с 2048-битным интерфейсом памяти, что вдвое превышает текущий 1024-битный интерфейс, используемый с 2015 года.
- Сан Джун Хван, исполнительный вице-президент по продуктам и технологиям DRAM в Samsung
Важный игрок на рынке чипов памяти, компания Samsung Electronics Co., обнародовала свои амбиции на будущее. По словам Сан Джуна Хвана, исполнительного вице-президента по продуктам и технологиям DRAM компании Samsung, компания планирует представить чипы DRAM HBM4 шестого поколения в 2025 году.
Позже Samsung начала массовое производство HBM2E и HBM3 и разработала HBM3E со скоростью 9,8 гигабит в секунду (Гбит/с), который мы вскоре начнем предлагать клиентам в рамках нашего стремления обогатить экосистему HPC/AI. Заглядывая в будущее, ожидается, что HBM4 будет представлен к 2025 году с технологиями, оптимизированными для высоких тепловых свойств, такими как сборка из непроводящей пленки (NCF) и гибридное медное соединение (HCB).
В своей статье Хван Сан Чжун подтвердил продолжающееся массовое производство HBM2E и HBM3. Samsung также готовится предоставить клиентам образцы HBM3E со скоростью 9,8 Гбит/с. В частности, разработка HBM4 запланирована на 2025 год. Хотя подробностей о HBM4 пока мало, Samsung намекает на инновационные функции, такие как «непроводящая пленка» и «гибридное медное соединение» для повышения энергоэффективности и рассеивания тепла.
Иван Ковалев
VIA
Подписывайтесь и читайте новости от ITквариат раньше остальных в нашем
Telegram-канале !
Заметили ошибку? Выделите ее мышкой и нажмите Ctrl+Enter!
И еще на эту тему...
IBM анонсирует аналого-цифровой гибридный чип для искусственного интеллекта будущегоПроизводители чипов сигнализируют о снижении предложения чипов на фоне слишком медленного восстановления спросаСкладной iPhone 2025 года поможет сегменту достичь прибыли 100 миллионов долларов в год в течение двух летMicron начинает массовое производство модулей памяти DDR5-4800 RDIMM большой емкостиSamsung сократит производство памяти DDR4, в связи с падением доходовЧип MetaVRain для 3D-рендеринга на основе искусственного интеллекта в 1000 раз мощнее, чем современные графические процессоры NvidiaИсполнительный вице-президент Intel ушел с должности для создания собственной компании по разработке игрИсследование Samsung показало, что каждый из нас, вероятно, в какой-то степени геймерЛоббист от Apple сумел переписать закон Нью-Йорка о праве на ремонтGoogle объявил об официальной поддержке Android архитектуры RISC-VSamsung представил стандарт памяти GDDR6W с удвоенной емкостью и повышенной пропускной способностьюRazer сделала настраиваемый и очень дорогой контроллер для PS5Карты AMD RX 7900 XT якобы будут поддерживать разъемы DisplayPort 2.1Android 14 заставит некоторые телефоны работать только с 64-битной версией и поддерживать современное сжатие видеоSamsung уступит лидерство на рынке уже в третьем квартале 2022 годаSamsung Galaxy Z Flip 4 Bespoke Edition может получить более 900 вариантов расцветкиПродажи DRAM от Samsung снижаются второй квартал подрядВ Великобритании назревает большой дефицит специалистов по Искусственному ИнтеллектуMastercard увеличивает сумму для бесконтактной оплаты покупок без ПИН-кода в 29 странахВ Беларуси начались продажи MacВook Pro образца 2018 года
