Samsung создала первый в мире 900-слойный чип памяти

от: 25-05-2026 15:51 | раздел: Новости

Компания Samsung, крупнейший в мире производитель микросхем памяти, создала первый в мире прототип 900-слойного чипа флэш-памяти V-NAND. В то время как развитие ИИ стимулирует огромный спрос на DRAM и NAND флэш-память, Samsung в очередной раз пытается продемонстрировать свое лидерство в полупроводниковых технологиях памяти.

По имеющимся данным, прототип использует технологию Cell Multi-Bonding (CMB), которая объединяет две 450-слойные пластины ячеек в один чип. Многослойная структура NAND-флэш-памяти повышает плотность хранения данных, одновременно снижая энергопотребление. Такие высокоплотные многослойные структуры все чаще рассматриваются как выгодные для вычислительных задач в области искусственного интеллекта.

В настоящее время SK Hynix считается лидером в сегменте многослойной NAND-памяти со своими 321-слойными чипами NAND. Однако Samsung, похоже, находится в сильной позиции, одновременно готовясь к массовому производству 400-слойных чипов NAND десятого поколения и достигнув рубежа в 900 слоев на этапе исследований.

Samsung стала первой компанией в мире, которая коммерциализировала 3D V-NAND флэш-чипы в 2013 году. Первоначально компания использовала производственный процесс, включающий сверление и многослойное наращивание микроскопических отверстий за один этап.

Однако, по мере увеличения высоты слоев, Samsung, как сообщается, столкнулась с такими проблемами, как деформация пластин и смещение слоев. В отчете утверждается, что компания решила эти проблемы, используя усовершенствованную конструкцию верхнего зажима и технологию коррекции наложения.

Также Samsung улучшила структуры Bitline (BL) и Wordline (WL), значительно снизив как энергопотребление, так и размер чипа.

Тем временем китайская компания Yangtze Memory Technologies Co. (YMTC) быстро сокращает разрыв с Samsung и SK Hynix на рынке NAND-флэш-памяти. YMTC уже начала массовое производство 294-слойных NAND-чипов, чему способствовали значительные государственные инвестиции Китая и увеличение локализации оборудования для производства чипов.

В связи с растущей конкуренцией Samsung ускорила разработку своей 900-слойной технологии NAND-флэш-памяти, чтобы сохранить свое долгосрочное технологическое лидерство.